2N6491G
onsemi · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 15 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V，采用 TO-220-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N6517TA
onsemi · 封装：TO-92-3 Kinked Lead
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。2N6520TA
onsemi · 封装：TO-92-3 Kinked Lead
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。2SA1419S-TD-E
onsemi · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V，采用 SOT-89-3 封装。2SA1552S-TL-H
onsemi · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V，采用 TO-252-3 封装。2SA1593S-TL-E
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、组装国家或地区 中国、晶圆制造国家或地区 日本、原产国家或地区 中国。2SA1774T1G
onsemi · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SC-75-3 封装。2SA2016-TD-E
onsemi · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 7 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT-89-3 封装。2SA2210-1E
onsemi · 封装：TO-220FP-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 20 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-220FP-3 封装。2SA2029M3T5G
onsemi · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-723-3 封装。2SA2039-TL-E
onsemi · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-252-3 封装。2SA2040-TL-E
onsemi · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-252-3 封装。2SA2125-TD-E
onsemi · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-89-3 封装。2SA2125-TD-H
onsemi · 封装：TO-243-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-243-3 封装。2SA2126-TL-E
onsemi · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-252-3 封装。2SA2153-TD-E
onsemi · 封装：PCP-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 PCP-3 封装。2SA2202-TD-E
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V。MJB44H11G
onsemi · 封装：D2PAK-3 (TO-263-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 D2PAK-3 (TO-263-3) 封装。MJB44H11T4G
onsemi · 封装：D2PAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 D2PAK-3 封装。MJB45H11G
onsemi · 封装：D2PAK
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 D2PAK 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。