KSA1013YBU
onsemi · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V，采用 TO-92-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录FMBA06
onsemi · 封装：SSOT-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SSOT-6 封装。FMBM5551
onsemi · 封装：SuperSOT-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V，采用 SuperSOT-6 封装。FMMT549
onsemi · 封装：SuperSOT-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 35 V，采用 SuperSOT-3 封装。FSB560A
onsemi · 封装：SuperSOT-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SuperSOT-3 封装。FSB660A
onsemi · 封装：SuperSOT-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SuperSOT-3 封装。FZT790A
onsemi · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-223-4 封装。HN1B01FDW1T1G
onsemi · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SC-74-6 封装。KSA1010YTU
onsemi · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 7 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-220-3 封装。MJ15024G
onsemi · 封装：TO-204-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 16 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 TO-204-2 封装。MJB41CG
onsemi · 封装：D2PAK-3 (TO-263-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 D2PAK-3 (TO-263-3) 封装。MJ15025G
onsemi · 封装：TO-204-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 16 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 TO-204-2 封装。MJ21193G
onsemi · 封装：TO-204-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 16 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 TO-204-2 封装。MJ21194G
onsemi · 封装：TO-204-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 16 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 TO-204-2 封装。MJ21195G
onsemi · 封装：TO-204-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 16 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 TO-204-2 封装。MJ21196G
onsemi · 封装：TO-204-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 16 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 TO-204-2 封装。MJ2955G
onsemi · 封装：TO-204-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 15 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-204-2 封装。MJ4502G
onsemi · 封装：TO-204-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 30 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 90 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-204-2 封装。MJ802G
onsemi · 封装：TO-204-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 30 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 90 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-204-2 封装。2N6487G
onsemi · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 15 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V，采用 TO-220-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。