PHPT61003PY-QX
Nexperia · 封装：SOT669-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT669-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PIMN31-QF
Nexperia · 封装：SOT-457
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 420 mW，采用 SOT-457 封装。PIMH9-QX
Nexperia · 封装：SOT-457
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、耗散功率（Pd） 400 mW、增益带宽积（fT） 230 MHz，采用 SOT-457 封装。PIMD3-QX
Nexperia · 封装：SOT-457
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、耗散功率（Pd） 400 mW、增益带宽积（fT） 180 MHz, 230 MHz，采用 SOT-457 封装。PIMD3-QF
Nexperia · 封装：SOT-457
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、耗散功率（Pd） 400 mW、增益带宽积（fT） 180 MHz, 230 MHz，采用 SOT-457 封装。PHPT61010PY-QX
Nexperia · 封装：SOT669-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 20 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT669-4 封装。PHPT61010NY-QX
Nexperia · 封装：SOT669-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 20 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT669-4 封装。PHPT61006PY-QX
Nexperia · 封装：SOT669-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 12 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT669-4 封装。PHPT61006NY-QX
Nexperia · 封装：SOT669-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 12 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT669-4 封装。PHPT60603PY-QX
Nexperia · 封装：SOT669-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT669-4 封装。PHPT60603NY-QX
Nexperia · 封装：SOT669-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT669-4 封装。PHPT60415PY-QX
Nexperia · 封装：SOT669-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 30 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT669-4 封装。PHPT60415NY-QX
Nexperia · 封装：SOT669-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 30 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT669-4 封装。PHPT60410PY-QX
Nexperia · 封装：SOT669-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 20 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT669-4 封装。PHPT60410NY-QX
Nexperia · 封装：SOT669-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 20 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT669-4 封装。PHPT60406PY-QX
Nexperia · 封装：SOT669-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 12 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT669-4 封装。2SB1215S-TL-E
onsemi · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V，采用 TO-252-3 封装。2SD1623T-TD-E
onsemi · 封装：PCP-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 PCP-3 封装。2SD1624S-TD-E
onsemi · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-89-3 封装。BC32740TA
onsemi · 封装：TO-92-3 Kinked Lead
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。