BC817-16QC-QZ
Nexperia · 封装：DFN-1412D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-1412D-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BCX52-10TF
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-89-3 封装。BC847AQB-QZ
Nexperia · 封装：DFN-1110D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-1110D-3 封装。BC847AQBZ
Nexperia · 封装：DFN-1110D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-1110D-3 封装。BC847AQC-QZ
Nexperia · 封装：DFN-1412D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-1412D-3 封装。BC847AW-QF
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。BC847AW-QX
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。BC850C-QVL
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是、型号别名 934666119235。BC850CW-QF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669329135。PHPT61003NY-QX
Nexperia · 封装：SOT669-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT669-4 封装。PHPT60606NY-QX
Nexperia · 封装：SOT669-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 14 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT669-4 封装。PHPT610035PK-QX
Nexperia · 封装：SOT1205-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT1205-8 封装。PHPT610035NK-QX
Nexperia · 封装：SOT1205-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT1205-8 封装。PHPT610030PK-QX
Nexperia · 封装：LFPAK56D-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 LFPAK56D-8 封装。PHPT610030NPK-QX
Nexperia · 封装：SOT1205-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT1205-8 封装。PHPT610030NK-QX
Nexperia · 封装：LFPAK56D-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 LFPAK56D-8 封装。PHPT60610PY-QX
Nexperia · 封装：SOT669-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 20 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT669-4 封装。PHPT60610NY-QX
Nexperia · 封装：SOT669-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 20 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT669-4 封装。PHPT60606PY-QX
Nexperia · 封装：SOT669-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 12 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT669-4 封装。PIMN31-QX
Nexperia · 封装：SOT-457
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 420 mW，采用 SOT-457 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。