2N5202 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-66-2 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N5202 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 75 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-66-2 封装。2N5210 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N5210 APP PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V，采用 TO-92-3 封装。2N5210 APP TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V，采用 TO-92-3 封装。2N5210 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V，采用 TO-92 封装。2N5232A TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N5262 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N5232A TRF PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。2N5232A TRF TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。2N5249 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N5249 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N5249 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。2N5249 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN，采用 TO-92-3 封装。2N5249 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N5249 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。BCX38A TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V，采用 TO-92-3 封装。CMPT5401 TR PBFREE
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V，采用 SOT-23 封装。CMPTA06 TR PBFREE
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23 封装。MPSA42 TRE PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-92-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。