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BD137G

ON Semiconductor · 封装：TO-225-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-225-3 封装。
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STD888T4

STMicroelectronics · 封装：TO-252-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 TO-252-3 封装。
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ZXTP25100CFHTA

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 115 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-23-3 封装。
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ZXTP25020CFHTA

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 25 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 150 mV，采用 SOT-23-3 封装。
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2SD1624T-TD-H

ON Semiconductor · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、连续集电极电流 3 A、耗散功率（Pd） 500 mW、单件重量 0.004603 oz，采用 SOT-89-3 封装。
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PBSS5480X,135

Nexperia · 封装：UPAK-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 UPAK-3 封装。
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DZT751-13

Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 600 mV，采用 SOT-223-4 封装。
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DZT658-13

Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 SOT-223-4 封装。
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KSA1381ESTU

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-126-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 300 V、集电极－基极电压（VCBO） - 300 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.6 V，采用 TO-126-3 封装。
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FCX593TA

Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.3 V，采用 SOT-89-3 封装。
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2SA1417T-TD-E

ON Semiconductor · 封装：PCP-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.22 V，采用 PCP-3 封装。
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NSS20300MR6T1G

ON Semiconductor · 封装：TSOP-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.25 V，采用 TSOP-6 封装。
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FMMT720QTA

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V，采用 SOT-23-3 封装。
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QSX8TR

ROHM Semiconductor · 封装：SMT-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 120 mV，采用 SMT-6 封装。
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ZXTP25060BFHTA

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 SOT-23-3 封装。
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2SB1124S-TD-E

ON Semiconductor · 封装：SC-62-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、连续集电极电流 3 A、耗散功率（Pd） 500 mW、单件重量 0.001820 oz，采用 SC-62-3 封装。
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ZXTP25012EFHTA

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 SOT-23-3 封装。
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ZXT10N50DE6TA

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 225 mV，采用 SOT-23-6 封装。
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