芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

MPS6534 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 TO-92-3 封装。

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MPS6534 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。

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MPS6534 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。

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MPS6532 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。

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MPS6532 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区韩国、单件重量 0.007266 oz。

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MPS6531 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。

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MPS6531 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。

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2N5058 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-39-3 封装。

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2N5179 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-72

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 2.5 V，采用 TO-72 封装。

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2N5059 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。

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2N5059 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-39-3 封装。

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2N5086 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、集电极－发射极饱和电压 300 mV。

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2N5086 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、集电极－发射极饱和电压 300 mV。

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2N5086 APP PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-92-3 封装。

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2N5086 APP TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

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2N5089 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。

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2N5089 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。

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2N5179 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-72-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 2.5 V，采用 TO-72-4 封装。

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2N5210 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V，采用 TO-92-3 封装。

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2N5189 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 35 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-39-3 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。