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199,570 条型号记录
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2N5226 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。
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2N5232A TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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2N5226 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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2N5226 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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2N5227 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 400 mV，采用 TO-92-3 封装。
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2N5227 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 400 mV，采用 TO-92-3 封装。
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2N5232A APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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2N5232A APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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2N5232A PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。
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2N5232A TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
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BC546B TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TO-92-3 封装。
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BC546B TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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BC546B TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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BC547B TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-92 封装。
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BC556B PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、耗散功率（Pd） 625 mW。
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BC846BR TR PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V。
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BC846BT TR PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V。
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MPS6534 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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MPS6531 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
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MPS6534 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。
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