2N5868
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N4914
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N4930
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N4931
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V。2N497
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N498
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N4999
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。2N5740
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。2N5782
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 65 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-39-3 封装。JAN2N4854U/TR
Microchip / Microsemi · 封装：U-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 U-6 封装。JANSF2N2222AL
Microchip / Microsemi · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-18-3 封装。JAN2N5002
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JAN2N5003
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JAN2N5004
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANS2N2219A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANS2N2219AL
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANS2N2221A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANS2N2221AL
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSF2N2222A
Microchip / Microsemi · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-18-3 封装。Jan2N1613
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。