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SBCW66GLT1G

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 SOT-23-3 封装。
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SBCW72LT1G

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。
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2SAR513RHZGTL

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-346T-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-346T-3 封装。
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2SAR553RHZGTL

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-346T-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-346T-3 封装。
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2SAR514PHZGT100

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 700 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-89-3 封装。
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2SAR514RHZGTL

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-346T-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 700 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-346T-3 封装。
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2SAR533PHZGT100

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-89-3 封装。
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2SAR543RHZGTL

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-346T-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-346T-3 封装。
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2SAR544PHZGT100

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-89-3 封装。
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2SAR544RHZGTL

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-346T-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-346T-3 封装。
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2SAR552PHZGT100

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SOT-89-3 封装。
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2SAR553PHZGT100

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-89-3 封装。
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2N2221AUB

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V。
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2N2219A

Microchip Technology · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N2219Ae3

Microchip Technology · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N2219Ae4

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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2N2221AL

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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2N2221AUA

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V。
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2N2221AUA/TR

Microchip Technology · 封装：LCC-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 LCC-4 封装。
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2N4913

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V。
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