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2PB709BSL-QR

Nexperia · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 250 mW、增益带宽积（fT） 100 MHz、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。
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2PB710ARL-QR

Nexperia · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 250 mW、增益带宽积（fT） 120 MHz、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。
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BCM56DS-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669337115。
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BCM846BS-QX

Nexperia · 封装：SOT-363

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、耗散功率（Pd） 200 mW、增益带宽积（fT） 250 MHz、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-363 封装。
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BCM846BSH-QF

Nexperia · 封装：TSSOP-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TSSOP-6 封装。
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PBSS4041PZ-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664879115。
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PBSS4041PX-QX

Nexperia · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 6.2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-89-3 封装。
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NJVMJB44H11T4G

onsemi · 封装：D2PAK-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 D2PAK-3 封装。
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BCP56MTWG

onsemi · 封装：WDFNW-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 WDFNW-3 封装。
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MSD42SWT1G

onsemi · 封装：SC-70-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 150 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 SC-70-3 封装。
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BCP56T1G

onsemi · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT-223-4 封装。
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BCP56T3G

onsemi · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT-223-4 封装。
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BCP68T1G

onsemi · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V，采用 SOT-223-4 封装。
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BCP69T1G

onsemi · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V，采用 SOT-223-4 封装。
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BCW30LT1G

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V，采用 SOT-23-3 封装。
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BCW32LT1G

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V，采用 SOT-23-3 封装。
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MSC2712GT1G

onsemi · 封装：SC-59-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SC-59-3 封装。
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MSD1819A-RT1G

onsemi · 封装：SC-70-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SC-70-3 封装。
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NJW3281G

onsemi · 封装：TO-3P-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 15 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V，采用 TO-3P-3 封装。
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NSS1C301CTWG

onsemi · 封装：LFPAK-4

该型号为晶体管，主要参数包括组装国家或地区 菲律宾、晶圆制造国家或地区 马来西亚、原产国家或地区 菲律宾，采用 LFPAK-4 封装。
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