FMMT491AQTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录DXTP80100CFGQ-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerVDFN-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 110 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V，采用 PowerVDFN-8 封装。FCX1053AQTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 75 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V，采用 SOT-89-3 封装。FCX458QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。FCX491AQTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.001834 oz，采用 SOT-89-3 封装。FCX493QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。FMMT416TD
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 315 V，采用 SOT-23-3 封装。FMMT458TC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 225 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 SOT-23-3 封装。FMMT459QTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 150 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V，采用 SOT-23-3 封装。BCM847BS-QX
Nexperia · 封装：SOT-363
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、耗散功率（Pd） 200 mW、增益带宽积（fT） 250 MHz、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-363 封装。PBSS4120T-QR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669944215。BCM847BSH-QF
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TSSOP-6 封装。BCM847BSH-QX
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TSSOP-6 封装。BCM847DS-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669869115。BCM856BS-QX
Nexperia · 封装：SOT-363
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、耗散功率（Pd） 200 mW、增益带宽积（fT） 250 MHz、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-363 封装。BCP55-QX
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SC-73-4 封装。PBSS4140DPN-QX
Nexperia · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SC-74-6 封装。PBSS4140DPN-QF
Nexperia · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SC-74-6 封装。PBSS4130T-QR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669945215。BCM846BSH-QX
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TSSOP-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。