MMSS8550HE3-H-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MMSS8050W-L-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000176 oz。MMSS8050W-H-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000176 oz。MMDT3906HE3-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-363-6 封装。MMDT3904V-TPQ2
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C。MMDT3904S-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363S-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-363S-6 封装。MJD41C-13
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。FMMT491AQTC
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。MJD31CHQ-13
Diodes Incorporated · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-252-3 封装。FMMT491QTC
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。FMMT495QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 170 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V。FMMT555QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 德国。FMMT558TC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 150 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 SOT-23-3 封装。FMMT560QTC
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。FZT653QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 德国。FZT690BQTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V。MJD31CH-13
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DXTP80030DFGQ-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerVDFN-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V，采用 PowerVDFN-8 封装。DXTP78100CFGQ-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerVDFN-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 110 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V，采用 PowerVDFN-8 封装。DXTP80060DFGQ-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerVDFN-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V，采用 PowerVDFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。