BC557C
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录BC808-40
Diotec Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23 封装。BC817-16
Diotec Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23 封装。BC817-16W
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。BC309B TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV，采用 TO-92-3 封装。CMPTA92E TR PBFREE
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V，采用 SOT-23 封装。PE4002 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管。MPSL51 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV，采用 TO-92-3 封装。MPSL51 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV，采用 TO-92-3 封装。MPSL01 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV，采用 TO-92-3 封装。MPSL01 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV，采用 TO-92-3 封装。DDTC114ECA-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、耗散功率（Pd） 200 mW、增益带宽积（fT） 160 MHz、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。PXTA44-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管。PXT8050-D-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.001587 oz。PXT3906-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。PXT3904-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。PXT2222A-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括组装国家或地区 TH、原产国家或地区 中国、单件重量 0.001587 oz。MMDT3904HE3-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-363-6 封装。MMSS8550W-H-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000176 oz。MMSS8550HE3-L-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。