2SA1162-O,LXHF
Toshiba · 封装：S-Mini-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 S-Mini-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2SA1162-Y,LXHF
Toshiba · 封装：S-Mini-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 S-Mini-3 封装。2SA1244-Y(T6L1,NQ)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V。2SA1586-GR,LXHF
Toshiba · 封装：USM-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 USM-3 封装。2SA1586-Y,LXHF
Toshiba · 封装：USM-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 USM-3 封装。BC847CW-AU_R1_000A1
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000176 oz。BC857A_R1_00001
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000296 oz。BC847C_R1_00001
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000296 oz。BC848B-AU_R1_000A1
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000296 oz。BC848B_R1_00001
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000296 oz。BC848C_R1_00001
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000296 oz。BC850C-AU_R1_000A1
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000296 oz。BC856A_R1_00001
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000296 oz。BC856B-AU_R1_000A1
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000296 oz。BC856B_R1_00001
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000296 oz。BC817-16W-AU_R1_000A1
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000176 oz。BC817-16W_R1_00001
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000176 oz。BC817-16-AU_R1_000A1
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000296 oz。BC857BW-AU_R1_000A1
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000176 oz。BC857CW-AU_R1_000A1
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000176 oz。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。