芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

BC856BS-QX

Nexperia · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-363-6 封装。

查看资料询价

PDTC143TT-QR

Nexperia · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、耗散功率（Pd） 250 mW、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23 封装。

查看资料询价

2N3504 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-18-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18-3 封装。

查看资料询价

BU407 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-220

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 7 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 330 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-220 封装。

查看资料询价

CMLT5078E TR PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、原产国家或地区中国台湾。

查看资料询价

BSW68A PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V。

查看资料询价

MPSA06 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92 封装。

查看资料询价

MPS8099 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-92 封装。

查看资料询价

CJD340 BK TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：DPAK-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 750 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 DPAK-4 封装。

查看资料询价

2N3705 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。

查看资料询价

BC817-40QCZ

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V。

查看资料询价

BC857AQB-QZ

Nexperia · 封装：DFN-1110D-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-1110D-3 封装。

查看资料询价

BCP54-16-QX

Nexperia · 封装：SOT-223-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223-3 封装。

查看资料询价

2N6678

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 15 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 650 V。

查看资料询价

2N3868

Microchip Technology · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-5-3 封装。

查看资料询价

2N3711 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V。

查看资料询价

MPSA18 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、原产国家或地区 IN。

查看资料询价

MMBTA92-AQ

Diotec Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。

查看资料询价

BC857B-AU_R1_000A1

Panjit · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。

查看资料询价

CMKT2907AG TR PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、原产国家或地区中国台湾。

查看资料询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。