PBSS4160PANS-QX
Nexperia · 封装：DFN2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 DFN2020-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PBSS4160PANP-QX
Nexperia · 封装：DFN-2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 DFN-2020-6 封装。PBSS4160PAN-QX
Nexperia · 封装：DFN2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 DFN2020-6 封装。UMZ1NT1G
onsemi · 封装：SC-70-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SC-70-6 封装。PBSS4130QA-QZ
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669909147。PBSS4130PANP-QX
Nexperia · 封装：DFN2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 DFN2020-6 封装。PBSS4032NT-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 390 mW、增益带宽积（fT） 180 MHz，采用 SOT-23 封装。PBSS4130PAN-QX
Nexperia · 封装：DFN2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 DFN2020-6 封装。PBSS4112PANP-QX
Nexperia · 封装：DFN2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V，采用 DFN2020-6 封装。PBSS4112PAN-QX
Nexperia · 封装：DFN2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V，采用 DFN2020-6 封装。PBSS4041PT-QR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664874215。PBSS4041NT-QR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664876215。PBSS4032PX-QX
Nexperia · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SC-62-3 封装。PBSS4032PT-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 1.1 W、增益带宽积（fT） 160 MHz，采用 SOT-23 封装。PBSS4032NX-QF
Nexperia · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SC-62-3 封装。2N3700 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-18-3 封装。BC846B-AU_R2_000A1
Panjit · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23-3 封装。MPS751 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V。MPSA20 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 TO-92 封装。2N3799 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-18-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。