Jan2N5684
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录Jan2N5416UA
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jan2N5415UA
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jan2N5039
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jan2N5038
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jan2N5005
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jan2N4854
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jan2N4405
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。PBSS4260PANS-QX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 DFN-2020D-6 封装。PBSS4260QA-QZ
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669907147。PBSS4260PANPS-QX
Nexperia · 封装：DFN2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 DFN2020-6 封装。PBSS4160QA-QZ
Nexperia · 封装：DFN-1010D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 DFN-1010D-3 封装。PBSS4260PANP-QX
Nexperia · 封装：DFN2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 DFN2020-6 封装。PBSS4260PAN-QX
Nexperia · 封装：DFN2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 DFN2020-6 封装。PBSS4250X-QF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934663787135。PBSS4230QA-QZ
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669906147。PBSS4230PAN-QX
Nexperia · 封装：DFN2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 DFN2020-6 封装。PBSS4220PANS-QX
Nexperia · 封装：DFN2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V，采用 DFN2020-6 封装。PBSS4160X-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669911115。PBSS4160X-QF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669911135。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。