PBHV9040Z-QF
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V，采用 SC-73-4 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录PBHV9040X-QX
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V，采用 SOT-89-3 封装。PBHV9040T-QVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 110 mV，采用 SOT-23-3 封装。PBHV9040T-QR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 110 mV，采用 SOT-23-3 封装。PBHV8560Z-QX
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－基极电压（VCBO） 600 V，采用 SC-73-4 封装。PBHV8550X-QF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669991135。PBHV8115TLH-QR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 SOT-23-3 封装。PBHV8540Z-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国、型号别名 934664929115。PBHV8540X-QX
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V，采用 SOT-89-3 封装。PBHV8540T-QR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。PBHV8515QA-QZ
Nexperia · 封装：DFN1010D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V，采用 DFN1010D-3 封装。PBHV8215Z-QX
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V，采用 SC-73-4 封装。PBHV8140Z-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664928115。PBHV8115Z-QX
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 SC-73-4 封装。PBHV8115X-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934667029115。Jan2N5683
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jans2N2369AUB/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 LCC-3 封装。Jans2N2369AUA/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 LCC-4 封装。Jan2N6989U/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-20
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 LCC-20 封装。Jan2N6987U/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-20
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Quad、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 LCC-20 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。