PBSS302PZ-QF
Nexperia · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 2 W、增益带宽积（fT） 110 MHz，采用 SOT-223 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PBSS304NZ-QF
Nexperia · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 700 mW、增益带宽积（fT） 130 MHz，采用 SOT-223 封装。PBSS304NX-QX
Nexperia · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 9.4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SC-62-3 封装。PBSS303PZ-QF
Nexperia · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 2 W、增益带宽积（fT） 130 MHz，采用 SOT-223 封装。PBSS303PX-QX
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 10.2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SOT-89-3 封装。PBSS303PD-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664890115。PBSS303NZ-QF
Nexperia · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 700 mW、增益带宽积（fT） 130 MHz，采用 SOT-223 封装。PBSS303NX-QX
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10.2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SOT-89-3 封装。PBSS303ND-QX
Nexperia · 封装：SOT-457
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、耗散功率（Pd） 360 mW、增益带宽积（fT） 140 MHz、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-457 封装。PBHV8115T-QR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。PBHV3160Z-QX
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－基极电压（VCBO） 600 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SC-73-4 封装。PBHV2160Z-QX
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－基极电压（VCBO） 600 V，采用 SC-73-4 封装。NHUMH9X
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V。NHUMH9F
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934661428135。NHUMH9-QX
Nexperia · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SC-88-6 封装。PBHV9050Z-QX
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 500 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V，采用 SC-73-4 封装。PBHV8550XF
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 150 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 500 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V，采用 SOT-89-3 封装。PBHV9050Z-QF
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 500 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V，采用 SC-73-4 封装。PBHV9050T-QR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664927215。PBHV9040Z-QX
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V，采用 SC-73-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。