芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

2N3781

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。

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2N3782

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。

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2N3788

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。

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2N3789

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。

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2N3790

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。

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2N3791

Microchip Technology · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-66-2 封装。

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2N3810

Microchip Technology · 封装：TO-78-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-78-6 封装。

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PBSS4021NX-QX

Nexperia · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 7 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-89-3 封装。

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PBSS304PZ-QF

Nexperia · 封装：SOT-223

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 2 W、增益带宽积（fT） 130 MHz，采用 SOT-223 封装。

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PBSS4021NT-QR

Nexperia · 封装：SOT23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V，采用 SOT23-3 封装。

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PBSS3540M-QYL

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区马来西亚、型号别名 934669900315。

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PBSS306NZ-QF

Nexperia · 封装：SOT-223

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 700 mW、增益带宽积（fT） 110 MHz，采用 SOT-223 封装。

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PBSS306NX-QX

Nexperia · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 9 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT-89-3 封装。

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PBSS305PZ-QF

Nexperia · 封装：SOT-223

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 2 W、增益带宽积（fT） 100 MHz，采用 SOT-223 封装。

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PBSS305PX-QX

Nexperia · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-89-3 封装。

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PBSS305NZ-QF

Nexperia · 封装：SOT-223

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 700 mW、增益带宽积（fT） 110 MHz，采用 SOT-223 封装。

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PBSS305NX-QX

Nexperia · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 9.2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-89-3 封装。

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PBSS4021PT-QR

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区马来西亚、型号别名 934664880215。

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PBSS4021PX-QX

Nexperia · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 15 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V，采用 SOT-89-3 封装。

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PBSS304PX-QX

Nexperia · 封装：SC-62-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 9.4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SC-62-3 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。