2N3700UB
Microchip Technology · 封装：UB-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V，采用 UB-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N3700UB/TR
Microchip Technology · 封装：LCC-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V，采用 LCC-3 封装。2N3716
Microchip Technology · 封装：TO-3 (TO-204AA-2)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾、单件重量 0.225789 oz，采用 TO-3 (TO-204AA-2) 封装。2N3724
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-39-3 封装。2N3724L
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-5-3 封装。2N3724UB
Microchip Technology · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 SMD-4 封装。2N3724UB/TR
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N3725
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－发射极饱和电压 520 mV，采用 TO-39-3 封装。2N3725UB
Microchip Technology · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 SMD-4 封装。2N3741A
Microchip Technology · 封装：TO-66
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP，采用 TO-66 封装。2N3725UB/TR
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N3735
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 TO-39-3 封装。2N3735L
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-5-3 封装。2N3737UB
Microchip Technology · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 SMD-4 封装。2N3737UB/TR
Microchip Technology · 封装：LCC-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 LCC-3 封装。2N3740
Microchip Technology · 封装：TO-66
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP，采用 TO-66 封装。2N3740A
Microchip Technology · 封装：TO-66
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-66 封装。2N3741
Microchip Technology · 封装：TO-66
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、原产国家或地区 美国，采用 TO-66 封装。2N3777
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。2N3779
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。