2N3743
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-39-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N3744
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N3746
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N3747
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N3749
Microchip Technology · 封装：TO-111
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、单件重量 0.014110 oz，采用 TO-111 封装。2N3750
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N3751
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N3752
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N3585
Microchip Technology · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V，采用 TO-66-2 封装。2N3636
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 175 V、集电极－基极电压（VCBO） 175 V，采用 TO-39-3 封装。2N3597
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N3598
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N3599
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N3619
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N3634
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾，采用 TO-39-3 封装。2N3634L
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-39-3 封装。2N3634UB/TR
Microchip Technology · 封装：SMD-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 140 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SMD-3 封装。2N3635L
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-39-3 封装。2N3700
Microchip Technology · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V，采用 TO-18-3 封装。2N3725L
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-5-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。