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UMT1NFHATN

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-363-6 封装。
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UMT3904U3T106

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-323-3 封装。
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2N3584

Microchip Technology · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国，采用 TO-66-2 封装。
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2N3507

Microchip Technology · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N3507AL

Microchip Technology · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-5-3 封装。
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2N3507AU4

Microchip Technology · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N3507L

Microchip Technology · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-5-3 封装。
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2N3507U4

Microchip Technology · 封装：SMD-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 SMD-3 封装。
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2N3636L

Microchip Technology · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-39-3 封装。
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2N3676

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。
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2N3636UB

Microchip Technology · 封装：SMD-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 SMD-3 封装。
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2N3637

Microchip Technology · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 175 V、集电极－基极电压（VCBO） 175 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N3637L

Microchip Technology · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-39-3 封装。
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2N3637UB

Microchip Technology · 封装：UB-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 175 V、集电极－基极电压（VCBO） 175 V，采用 UB-3 封装。
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2N3637UB/TR

Microchip Technology · 封装：LCC-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 175 V、集电极－基极电压（VCBO） 175 V，采用 LCC-3 封装。
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2N3660

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。
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2N3661

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。
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2N3675

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。
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2N3741U4

Microchip Technology · 封装：TO-66

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP，采用 TO-66 封装。
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2N3762L

Microchip Technology · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 TO-5-3 封装。
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