芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

SMMBT4403LT1G

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-23-3 封装。

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SMSD602-RT1G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V。

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SMUN5211DW1T1G-NC

onsemi · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-363-6 封装。

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SNSS30201MR6T1G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区马来西亚。

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SPZT2222AT1G

onsemi · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 SOT-223-4 封装。

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SPZT2907AT1G

onsemi · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-223-4 封装。

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SPZT3904T1G

onsemi · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-223-4 封装。

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TIP31CG

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-220-3 封装。

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TIP32AG

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-220-3 封装。

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TIP32BG

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TO-220-3 封装。

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TIP32CG

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-220-3 封装。

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TIP32G

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 TO-220-3 封装。

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TIP33CG

onsemi · 封装：TO-247-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-247-3 封装。

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TIP35AG

onsemi · 封装：TO-247-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 25 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-247-3 封装。

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UMX1NFHATN

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SOT-363-6 封装。

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QS5Y2FSTR

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-25T-5

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-25T-5 封装。

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SST4403HZGT116

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。

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UM2222AU3HZGT106

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-323-3 封装。

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UMD6NFHATR

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-363-6 封装。

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UMH4NFHATN

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-363-6 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。