NSV60600MZ4T3G
onsemi · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT-223-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录NSV60601MZ4T1G
onsemi · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT-223-4 封装。NSV60601MZ4T3G
onsemi · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT-223-4 封装。NSVBA143ZDXV6T1G
onsemi · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-563-6 封装。NSVBC124XDXV6T1G
onsemi · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-563-6 封装。NSVBC143ZDXV6T1G
onsemi · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-563-6 封装。NSVBC817-16LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。NSVMMBTA05LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-23-3 封装。NSVPZTA92T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V。NSVMMBTH81LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国，采用 SOT-23-3 封装。NSVMMBTH81LT3G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国，采用 SOT-23-3 封装。NSVMSA1162GT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V。NSVMSB1218A-RT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚。NSVMSB92T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 150 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V。NSVMSD1819A-RT1G
onsemi · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SC-70-3 封装。NSVMSD42WT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000212 oz。NSVMSD601-RT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V。NSVPZTA92T3G
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、组装国家或地区 马来西亚、晶圆制造国家或地区 马来西亚、原产国家或地区 马来西亚。NSVT3904DXV6T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V。NSVS1001CLTWG
onsemi · 封装：LFPAK-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V，采用 LFPAK-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。