BC847BM3T5G
onsemi · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BC847BPDW1T1G
onsemi · 封装：SC-70-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-70-6 封装。BC847BPDW1T2G
onsemi · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。BC847BPDW1T3G
onsemi · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。BC847BPDXV6T1G
onsemi · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。BC847BTT1G
onsemi · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-75-3 封装。BC847BWT1G
onsemi · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。NSV12100XV6T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 12 V。NSV20200DMTWTBG
onsemi · 封装：WDFN6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV、认证等级 AEC-Q101，采用 WDFN6 封装。NSV12200LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000287 oz，采用 SOT-23-3 封装。NSV1C200LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V，采用 SOT-23-3 封装。NSV1C200MZ4T1G
onsemi · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V，采用 SOT-223-4 封装。NSV1C201LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V，采用 SOT-23-3 封装。NSV1C201MZ4T1G
onsemi · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V，采用 SOT-223-4 封装。NSV1C300ET4G
onsemi · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。NSV1C301CTWG
onsemi · 封装：LFPAK-4
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚，采用 LFPAK-4 封装。NSV1C301ET4G
onsemi · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。NSV60201LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V，采用 SOT-23-3 封装。NSVBC818-40LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国，采用 SOT-23-3 封装。NSV60600MZ4T1G
onsemi · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT-223-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。