MJD42CG
onsemi · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MJD47T4G
onsemi · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V，采用 TO-252-3 封装。MJD50G
onsemi · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V，采用 TO-252-3 封装。MJD50T4G
onsemi · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V，采用 TO-252-3 封装。MJD5731T4G
onsemi · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-252-3 封装。MJE13007G
onsemi · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V，采用 TO-220-3 封装。MJE15028G
onsemi · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V，采用 TO-220-3 封装。MJE15029G
onsemi · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V，采用 TO-220-3 封装。MJE15030G
onsemi · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V，采用 TO-220-3 封装。MJL21194G
onsemi · 封装：TO-264-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 16 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 TO-264-3 封装。MJW21194G
onsemi · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 16 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 TO-247-3 封装。MJL21195G
onsemi · 封装：TO-264-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 16 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 TO-264-3 封装。MJL21196G
onsemi · 封装：TO-264-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 16 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 TO-264-3 封装。MJL3281AG
onsemi · 封装：TO-264-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 15 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 260 V、集电极－基极电压（VCBO） 260 V，采用 TO-264-3 封装。MJL4281AG
onsemi · 封装：TO-264-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 15 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V，采用 TO-264-3 封装。MJL4302AG
onsemi · 封装：TO-264-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 15 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V，采用 TO-264-3 封装。MJW1302AG
onsemi · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 15 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 230 V、集电极－基极电压（VCBO） 230 V，采用 TO-247-3 封装。MJW18020G
onsemi · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 30 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1 kV、集电极－基极电压（VCBO） 1 kV，采用 TO-247-3 封装。MJW21193G
onsemi · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 16 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 TO-247-3 封装。MMBT3904LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。