NSVMMBT4401WT1G
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录KSC1008YTA
onsemi · 封装：TO-92-3 Kinked Lead
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 700 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。KSC5338D
onsemi · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 1 kV，采用 TO-220-3 封装。KSC1815YTA
onsemi · 封装：TO-92-3 Kinked Lead
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 150 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。KSC1845FTA
onsemi · 封装：TO-92-3 Kinked Lead
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。KSC2334YTU
onsemi · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 7 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V，采用 TO-220-3 封装。KSC2383OTA
onsemi · 封装：TO-92L-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V，采用 TO-92L-3 封装。KSC2383YTA
onsemi · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V，采用 TO-92-3 封装。KSC2690AYS
onsemi · 封装：TO-126-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1.2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V，采用 TO-126-3 封装。KSC2690AYSTU
onsemi · 封装：TO-126-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1.2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V，采用 TO-126-3 封装。KSC5026MOS
onsemi · 封装：TO-126-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 800 V、集电极－基极电压（VCBO） 1.1 kV，采用 TO-126-3 封装。MJD340G
onsemi · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 TO-252-3 封装。MJD42CRLG
onsemi · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-252-3 封装。MJD340RLG
onsemi · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 TO-252-3 封装。MJD340T4G
onsemi · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 TO-252-3 封装。MJD340T4GN
onsemi · 封装：DPAK-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 750 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 DPAK-4 封装。MJD350T4G
onsemi · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 TO-252-3 封装。MJD350T4GN
onsemi · 封装：DPAK-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 750 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 DPAK-4 封装。MJD41CRLG
onsemi · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。MJD41CT4G
onsemi · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。