芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

NSVBC847BLT3G

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。

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NSVBC847BTT1G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。

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NSVBC848BWT1G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V。

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NSVBC848CLT1G

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SOT-23-3 封装。

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NSVBC850BLT1G

onsemi · 封装：SOT-23-3

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NSVBC850CLT1G

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区中国，采用 SOT-23-3 封装。

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NSVBC856BM3T5G

onsemi · 封装：SOT-723-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-723-3 封装。

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NSVBCP53MTWG

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V。

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NSVBCP56-10T3G

onsemi · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT-223-4 封装。

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NSVBCP5610MTWG

onsemi · 封装：WDFNW-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 WDFNW-3 封装。

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NSVBCP56MTWG

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区马来西亚。

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NSVEMT1DXV6T1G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区中国、单件重量 0.000096 oz。

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NSVMMBT5087LT1G

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。

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NSVEMX1DXV6T1G

onsemi · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-563-6 封装。

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NSVMBT3904DW1T3G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区马来西亚。

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NSVMMBT2222AM3T5G

onsemi · 封装：SOT-723-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 SOT-723-3 封装。

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NSVMMBT2222ATT1G

onsemi · 封装：SOT-416-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 SOT-416-3 封装。

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NSVMMBT2907AM3T5G

onsemi · 封装：SOT-723-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-723-3 封装。

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NSVMMBT2907AWT1G

onsemi · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-323-3 封装。

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NSVMMBT3906TT1G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。