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199,570 条型号记录
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FJP5555TU

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 1.05 kV，采用 TO-220-3 封装。
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FJT44KTF

onsemi · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 300 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V，采用 SOT-223-4 封装。
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MJD44H11-1G

onsemi · 封装：IPAK-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 IPAK-3 封装。
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MJD44H11G

onsemi · 封装：TO-252-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-252-3 封装。
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MJD44H11RLG

onsemi · 封装：TO-252-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-252-3 封装。
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MJD44H11T4G

onsemi · 封装：TO-252-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-252-3 封装。
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MJD45H11-1G

onsemi · 封装：IPAK-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 IPAK-3 封装。
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MJF32CG

onsemi · 封装：TO-220FP-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-220FP-3 封装。
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MJL21193G

onsemi · 封装：TO-264-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 16 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 TO-264-3 封装。
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MJF44H11G

onsemi · 封装：TO-220FP-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220FP-3 封装。
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MJF45H11G

onsemi · 封装：TO-220FP-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220FP-3 封装。
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MJF47G

onsemi · 封装：TO-220FP-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V，采用 TO-220FP-3 封装。
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MJK31CTWG

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。
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MJK32CTWG

onsemi · 封装：LFPAK-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.2 V，采用 LFPAK-4 封装。
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MJK44H11TWG

onsemi · 封装：LFPAK-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 16 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 LFPAK-4 封装。
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MJK45H11TWG

onsemi · 封装：LFPAK-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 16 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 LFPAK-4 封装。
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MJL1302AG

onsemi · 封装：TO-264-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 15 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 260 V、集电极－基极电压（VCBO） 260 V，采用 TO-264-3 封装。
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MJW21195G

onsemi · 封装：TO-247-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 16 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 TO-247-3 封装。
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MMBT2222AWT1G

onsemi · 封装：SC-70-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 SC-70-3 封装。
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MJW21196G

onsemi · 封装：TO-247-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 16 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 TO-247-3 封装。
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