芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

BSS63LT1G

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。

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BSS64LT1G

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V，采用 SOT-23-3 封装。

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BSV52LT1G

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V，采用 SOT-23-3 封装。

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BU406G

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 7 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 TO-220-3 封装。

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D45H11G

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220-3 封装。

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D45H8G

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220-3 封装。

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D45VH10G

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 15 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-220-3 封装。

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EMF5XV6T1G

onsemi · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。

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EMT1DXV6T1G

onsemi · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。

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EMX1DXV6T1G

onsemi · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-563-6 封装。

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FFB2227A

onsemi · 封装：SC-70-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SC-70-6 封装。

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FFB2907A

onsemi · 封装：SC-70-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SC-70-6 封装。

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FJD5555TM

onsemi · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 1.05 kV，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。

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FJT44TF

onsemi · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 300 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V，采用 SOT-223-4 封装。

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FJI5603DTU

onsemi · 封装：I2PAK-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 800 V、集电极－基极电压（VCBO） 1.6 kV，采用 I2PAK-3 封装。

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FJL4315OTU

onsemi · 封装：TO-264-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 17 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V，采用 TO-264-3 封装。

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FJL6920TU

onsemi · 封装：TO-264-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 20 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 800 V、集电极－基极电压（VCBO） 1.7 kV，采用 TO-264-3 封装。

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FJP13009H2TU

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 12 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V，采用 TO-220-3 封装。

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FJP13009TU

onsemi · 封装：TO-220-3

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FJP5027OTU

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 800 V、集电极－基极电压（VCBO） 1.1 kV，采用 TO-220-3 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。