PMBT5550-QR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934666536215。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PMBTA42,185
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国、型号别名 933776090185，采用 SOT-23-3 封装。PMBTA06-QVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-23-3 封装。PMBTA06-QR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-23-3 封装。PMBT6429-QR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 55 V，采用 SOT-23-3 封装。PMBT6428-QR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669268215。PMBT5551-QVL
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664933235。PMBT5551-QR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664933215。PMBT5550-QVL
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934666536235。PDTD113ZU-QX
Nexperia · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-323 封装。PDTD113ZU-QF
Nexperia · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-323 封装。PDTD113EU-QX
Nexperia · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-323 封装。PDTD113EU-QF
Nexperia · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-323 封装。PDTC144WT-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、耗散功率（Pd） 250 mW、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23 封装。PDTC144WM-QYL
Nexperia · 封装：SOT-883
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、耗散功率（Pd） 250 mW、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-883 封装。PMP3906AYSH
Nexperia · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-363-6 封装。PMBTA42-QVL
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934666537235。PMP3906AYS-QZ
Nexperia · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-363-6 封装。PMBTA92-QVL
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934663826235。PMBTA92-QR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934663826215。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。