NHUMD12F
Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934661439135。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934661439135。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 10 V。Nexperia · 封装:SC-88-6
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 7 V,采用 SC-88-6 封装。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934661419135。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 7 V。Nexperia · 封装:SOT-363
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、耗散功率(Pd) 350 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-363 封装。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934661436135。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 7 V。Nexperia · 封装:SOT-363
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、耗散功率(Pd) 350 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-363 封装。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669345115。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669334135。Nexperia · 封装:SOT-323
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极-发射极电压(VCEO) 30 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、耗散功率(Pd) 200 mW、增益带宽积(fT) 250 MHz,采用 SOT-323 封装。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669333115。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669333135。Nexperia · 封装:SOT-363-6
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 45 V,采用 SOT-363-6 封装。Nexperia · 封装:TSSOP-6
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V,采用 TSSOP-6 封装。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669335115。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669335135。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669334115。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934666537215。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。