NHDTA123JT-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、耗散功率（Pd） 250 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录NCR320PAS-QX
Nexperia · 封装：SOT-1118D
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 16 V、耗散功率（Pd） 530 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 250 mA，采用 SOT-1118D 封装。NCR321PAS-QX
Nexperia · 封装：SOT-1118D
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 16 V、耗散功率（Pd） 530 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 250 mA，采用 SOT-1118D 封装。NCR420PAS-QX
Nexperia · 封装：SOT-1118D
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、耗散功率（Pd） 530 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 250 mA，采用 SOT-1118D 封装。NCR421PAS-QX
Nexperia · 封装：SOT-1118D
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、耗散功率（Pd） 530 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 250 mA，采用 SOT-1118D 封装。NHDTA114ET-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、耗散功率（Pd） 250 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。NHDTA114EU-QX
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、耗散功率（Pd） 250 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。NHDTA114YT-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、耗散功率（Pd） 250 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。NHDTA114YU-QX
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SC-70-3 封装。NHDTC114YU-QX
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SC-70-3 封装。NHUMB10F
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934661423135。NHDTC123JT-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、耗散功率（Pd） 250 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。NHDTC123JU-QX
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SC-70-3 封装。NHDTC124ET-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、耗散功率（Pd） 250 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。NHDTC124EU-QX
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V，采用 SC-70-3 封装。NHDTC143ZT-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、耗散功率（Pd） 250 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。NHDTC143ZU-QX
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SC-70-3 封装。NHDTC144ET-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、耗散功率（Pd） 250 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。NHUMB10-QX
Nexperia · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SC-88-6 封装。NHUMB2F
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934661426135。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。