PMBT2227AYS-QH
Nexperia · 封装:TSSOP-6
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 40 V, 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V, 75 V,采用 TSSOP-6 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Nexperia · 封装:TSSOP-6
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 40 V, 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V, 75 V,采用 TSSOP-6 封装。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934666221115。Nexperia · 封装:SOT-883
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极-发射极电压(VCEO) 40 V、集电极-基极电压(VCBO) 75 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V、耗散功率(Pd) 250 mW、增益带宽积(fT) 300 MHz,采用 SOT-883 封装。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934665914215。Nexperia · 封装:SOT-23
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极-发射极电压(VCEO) 30 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、耗散功率(Pd) 250 mW、增益带宽积(fT) 250 MHz,采用 SOT-23 封装。Nexperia · 封装:SOT-23
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极-发射极电压(VCEO) 30 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、耗散功率(Pd) 250 mW、增益带宽积(fT) 250 MHz,采用 SOT-23 封装。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669269235。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669289115。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669281115。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934663768235。Nexperia · 封装:SOT-23
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极-发射极电压(VCEO) 40 V、耗散功率(Pd) 250 mW、增益带宽积(fT) 300 MHz、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23 封装。Nexperia · 封装:SC-70-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 300 V、集电极-基极电压(VCBO) 300 V,采用 SC-70-3 封装。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664918215。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664918235。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934663770215。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934666522215。Nexperia · 封装:SC-73-4
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 350 V、集电极-基极电压(VCBO) 400 V,采用 SC-73-4 封装。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934669917115。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934669918115。Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934666525215。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。