NHUMB11F
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934661418135。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录NHUMB11X
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V。NHUMB13-QX
Nexperia · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SC-88-6 封装。NHUMB13F
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934661425135。NHUMB13X
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V。NHUMB1F
Nexperia · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V，采用 SOT-363-6 封装。NHUMB1X
Nexperia · 封装：SOT-8009-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V，采用 SOT-8009-3 封装。NHUMD9-QX
Nexperia · 封装：SOT-363
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、耗散功率（Pd） 350 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-363 封装。NHUMH11X
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V。NHUMD9F
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934661435135。NHUMD9X
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V。NHUMH1-QX
Nexperia · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V，采用 SC-88-6 封装。NHUMH10-QX
Nexperia · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SC-88-6 封装。NHUMH10F
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934661429135。NHUMH10X
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V。NHUMH11-QX
Nexperia · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V，采用 SC-88-6 封装。NHUMH11F
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934661427135。PMBT4403-QZ
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是、型号别名 934666351185。PMBT3906YS-QX
Nexperia · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-363-6 封装。PMBT4403-QVL
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是、型号别名 934666351235。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。