BSS63-QR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664943215。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BST39-QX
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 SOT-89-3 封装。MJD148-QJ
Nexperia · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 7 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。MJD148J
Nexperia · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。MJD2873-QJ
Nexperia · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。MJD2873J
Nexperia · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。MJD31CH-QJ
Nexperia · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。NHDTA123JU-QX
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SC-70-3 封装。NHDTC114YT-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、耗散功率（Pd） 250 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。NHDTA124ET-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、耗散功率（Pd） 250 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。NHDTA124EU-QX
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V，采用 SC-70-3 封装。NHDTA143ZT-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、耗散功率（Pd） 250 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。NHDTA143ZU-QX
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SC-70-3 封装。NHDTA144ET-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、耗散功率（Pd） 250 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。NHDTA144EU-QX
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V，采用 SC-70-3 封装。NHDTC114ET-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、耗散功率（Pd） 250 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。NHDTC114EU-QX
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V，采用 SC-70-3 封装。NHUMB10X
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V。NHUMB2-QX
Nexperia · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V，采用 SC-88-6 封装。NHUMB11-QX
Nexperia · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V，采用 SC-88-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。