BC850CW-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669329115。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BC856-QR
Nexperia · 封装：TO-236AB-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TO-236AB-3 封装。BC856A-QR
Nexperia · 封装：TO-236AB-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TO-236AB-3 封装。BC856AQB-QZ
Nexperia · 封装：SOT-8015-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-8015-3 封装。BC856AQBZ
Nexperia · 封装：SOT-8015-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-8015-3 封装。BC856AQC-QZ
Nexperia · 封装：SOT-8009-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-8009-3 封装。BC856AQCZ
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934660817147。MJD41CJ
Nexperia · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。MJPE32C-QZ
Nexperia · 封装：CFP15B-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 CFP15B-3 封装。MJD42C-QJ
Nexperia · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。MJD42CJ
Nexperia · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。MJPE2873-QZ
Nexperia · 封装：CFP15B-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV、耗散功率（Pd） 2.2 W，采用 CFP15B-3 封装。MJPE2873Z
Nexperia · 封装：CFP15B-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 CFP15B-3 封装。MJPE31C-QZ
Nexperia · 封装：CFP15B-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 CFP15B-3 封装。MJPE31CH-QZ
Nexperia · 封装：CFP15B-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 CFP15B-3 封装。MJPE31CHZ
Nexperia · 封装：CFP15B-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 CFP15B-3 封装。MJPE31CZ
Nexperia · 封装：CFP15B-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 CFP15B-3 封装。MJPE32CZ
Nexperia · 封装：CFP15B-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 CFP15B-3 封装。MMBTA42-QR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 SOT-23-3 封装。MJPE44H11-QZ
Nexperia · 封装：CFP15B-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 CFP15B-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。