BC846W-QF
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-323-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BC846BQC-QZ
Nexperia · 封装：DFN-1412D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 DFN-1412D-3 封装。BC846DS-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669875115。BC846S-QF
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TSSOP-6 封装。BC846S-QH
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TSSOP-6 封装。BC846S-QX
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TSSOP-6 封装。BC846S-QZ
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TSSOP-6 封装。BC846SH-QF
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TSSOP-6 封装。BC846SH-QX
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TSSOP-6 封装。BC847BQC-QZ
Nexperia · 封装：DFN-1412D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-1412D-3 封装。BC847CM-QYL
Nexperia · 封装：SOT-883-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-883-3 封装。BC847BS-QF
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TSSOP-6 封装。BC847BS-QX
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TSSOP-6 封装。BC847BSH-QF
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TSSOP-6 封装。BC847BSH-QX
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TSSOP-6 封装。BC847BW-QF
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。BC847BW-QX
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。BC847C-QR
Nexperia · 封装：TO-236AB-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-236AB-3 封装。BC847C-QVL
Nexperia · 封装：TO-236AB-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-236AB-3 封装。BC856AW-QF
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-323-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。