2SB1122S-TD-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.18 V。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录ZXTN25040DFLTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 130 V、集电极－基极电压（VCBO） 130 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 85 mV，采用 SOT-23-3 封装。2SC4098T106P
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.1 V，采用 SOT-323-3 封装。KSP44TF
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-92-3 Kinked Lead
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 750 mV，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。12A02CH-TL-E
ON Semiconductor · 封装：CPH-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.12 V，采用 CPH-3 封装。BC847BPDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 SOT-563-6 封装。PBSS5560PA,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、最大直流集电极电流 - 6 A，采用 DFN-2020-3 封装。ZXTP25040DFLTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 1.5 A，采用 SOT-23-3 封装。CPH3215-TL-H
ON Semiconductor · 封装：CPH-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、连续集电极电流 1.5 A、最小直流电流增益（hfe） 200、耗散功率（Pd） 900 mW，采用 CPH-3 封装。2DA1774R-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 500 mV，采用 SOT-523-3 封装。BSR43TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SOT-89-3 封装。PBSS5440D,115
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 TSOP-6 封装。30A02MH-TL-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、单件重量 0.000255 oz。BD13710STU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-126-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-126-3 封装。KSA1142OSTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-126-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 180 V、集电极－基极电压（VCBO） - 180 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.16 V，采用 TO-126-3 封装。2SD2700TL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 SOT-323-3 封装。NSVMSB92T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。PBHV9540Z,115
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 400 V、集电极－基极电压（VCBO） - 500 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 - 1 A，采用 SOT-223-3 封装。PBSS4260PAN,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 70 mV，采用 DFN-2020-6 封装。2SA1163-BL(TE85L,F
Toshiba · 封装：SOT-346-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 120 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.3 V，采用 SOT-346-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。