BC846A-QR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BC846A-QVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23-3 封装。BC846AQB-QZ
Nexperia · 封装：SOT-8015-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-8015-3 封装。BC846AQBZ
Nexperia · 封装：SOT-8015-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-8015-3 封装。BC846AQC-QZ
Nexperia · 封装：DFN-1412D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 DFN-1412D-3 封装。BC51-16PA-QX
Nexperia · 封装：HUSON-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V，采用 HUSON-3 封装。2PD601BSL-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 250 mW、增益带宽积（fT） 100 MHz、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。2PD602AQL-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 250 mW、增益带宽积（fT） 140 MHz、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。2PD602ARL-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 250 mW、增益带宽积（fT） 160 MHz、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。2PD602ASL-QR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。BC51-10PA-QX
Nexperia · 封装：HUSON-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V，采用 HUSON-3 封装。BC51-10PAS-QX
Nexperia · 封装：SOT-1061D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V，采用 SOT-1061D-3 封装。BC807-16QCZ
Nexperia · 封装：SOT-8009-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-8009-3 封装。BC807DS-QX
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 0 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TSOP-6 封装。BC807-25QBH-QZ
Nexperia · 封装：DFN-1110D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-1110D-3 封装。BC807-25QBZ
Nexperia · 封装：SOT-8015-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-8015-3 封装。BC807-25QC-QZ
Nexperia · 封装：DFN-1412D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-1412D-3 封装。BC807-40QCH-QZ
Nexperia · 封装：DFN-1110D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-1110D-3 封装。BC807-40QCZ
Nexperia · 封装：SOT-8009-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-8009-3 封装。BC807-40W-QF
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。