BCX52-16-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.001587 oz。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BCX52-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。BCX54-16-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。BCX54-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。BCX55-16-13P
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V。BC816-25HVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23-3 封装。BC817-16QBH-QZ
Nexperia · 封装：DFN-1110D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-1110D-3 封装。BC816-25R
Nexperia · 封装：SOT23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT23-3 封装。BC816-25VL
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934661123235。BC816-25W-QX
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、耗散功率（Pd） 345 mW，采用 SOT-23 封装。BC816-25WF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934661128135。BC816-25WX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶圆制造国家或地区 德国、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934661128115。BC817-16-QR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BC817-16-QVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BC817-16QB-QZ
Nexperia · 封装：DFN-1110D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-1110D-3 封装。BC817K-40H-QR
Nexperia · 封装：TO-236AB-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-236AB-3 封装。BC846BM-QYL
Nexperia · 封装：SOT-883
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、耗散功率（Pd） 250 mW、增益带宽积（fT） 100 MHz、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-883 封装。BC817W-QF
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。BC817W-QX
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。BC846-QR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。