CPH6102-TL-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PBSS4160T,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 SOT-23-3 封装。BC847BFAQ-7B
Diodes Incorporated · 封装：X2-DFN0806-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 122 mV，采用 X2-DFN0806-3 封装。CPH5517-TL-E
ON Semiconductor · 封装：SOT-25-5
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V, 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 280 mV, 130 mV，采用 SOT-25-5 封装。CPH5506-TL-E
ON Semiconductor · 封装：CPH-5
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V, 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 250 mV, 150 mV，采用 CPH-5 封装。FMMT494QTC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SOT-23-3 封装。PEMX1,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 200 mA，采用 SOT-666-6 封装。BCP53-10T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SOT-223-4 封装。BD136-16
STMicroelectronics · 封装：SOT-32-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1.5 A，采用 SOT-32-3 封装。FSB660A
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SuperSOT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV，采用 SuperSOT-3 封装。MCH4017-TL-H
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000273 oz。NSM80101MT1G
ON Semiconductor · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 500 mA，采用 SC-74-6 封装。DSS9110Y-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 120 mV，采用 SOT-363-6 封装。SBCP56-10T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223-4 封装。15C01C-TB-E
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，采用 SOT-23-3 封装。BCP56-10,115
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-223-3 封装。2SA1416T-TD-E
ON Semiconductor · 封装：PCP-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、增益带宽积（fT） 120 MHz、最大工作温度 + 150 C，采用 PCP-3 封装。FMBA06
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SSOT-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 SSOT-6 封装。NSM80100MT1G
ON Semiconductor · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V、连续集电极电流 - 500 mA、最小直流电流增益（hfe） 120、耗散功率（Pd） 400 mW，采用 SC-74-6 封装。PBSS4140T,235
Nexperia · 封装：TO-236AB-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 TO-236AB-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。