BCX23 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 125 V、集电极－基极电压（VCBO） 125 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BCY58-X PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-18-3 封装。BCX71H TR PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。BCX71K TR PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。BCY58-IX PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-18-3 封装。BCY58-IX TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V，采用 TO-18-3 封装。BCY58-VIII PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-18-3 封装。BCY58-VIII TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V，采用 TO-18-3 封装。BCY58-X TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V，采用 TO-18-3 封装。BCY78-VII PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP，采用 TO-18-3 封装。BCY59-IX PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-18-3 封装。BCY59-IX TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V，采用 TO-18-3 封装。BCY59-VIII PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-18-3 封装。BCY59-VIII TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V，采用 TO-18-3 封装。BCY59-X PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-18-3 封装。BCY59-X TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V，采用 TO-18-3 封装。BCY78-IX PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP，采用 TO-18-3 封装。BCY78-IX TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V，采用 TO-18-3 封装。BCY78-VII TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V，采用 TO-18-3 封装。BCY79-X PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP，采用 TO-18-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。