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199,570 条型号记录
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MPS6534 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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MPS6560 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
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MPS6560 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、原产国家或地区 韩国、单件重量 0.016000 oz。
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MPS6560 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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MPS6560 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、原产国家或地区 IN。
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MPS6535 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。
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MPS6535 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 韩国。
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MPS6522 APP TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。
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MPS6522 APP PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。
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MPS6522 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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2N5308 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 TO-92-3 封装。
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BC847BT TR PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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BC856AT TR PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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BC856B TR PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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BC856BT TR PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V。
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BC857BR TR PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V。
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BC858B TR PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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BCX23 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、集电极－发射极饱和电压 900 mV。
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