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CMPT918 TR PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SOT-23 封装。
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CMPT591E TR PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、原产国家或地区 美国，采用 SOT-23 封装。
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CMPT6427 TR PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN，采用 SOT-23 封装。
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CMPT6428 TR PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-23 封装。
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CMPT6429 TR PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23 封装。
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CMPT6517 TR PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V，采用 SOT-23 封装。
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CMPT6520 TR PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP，采用 SOT-23 封装。
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CMPT8099 TR PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23 封装。
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CMPT8599 TR PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23 封装。
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MPS6562 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、原产国家或地区 韩国、单件重量 0.016000 oz。
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MPS6560 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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MPS6562 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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MPS6562 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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MPS6561 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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MPS6561 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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MPS6561 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
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MPS6561 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V。
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MPS6561 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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MPS6561 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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MPS6560 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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