2N3904 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N3904 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N3905 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。2N3905 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。2N5086 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、集电极－发射极饱和电压 300 mV、原产国家或地区 韩国、单件重量 0.016000 oz。2N5087 APP TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-92-3 封装。2N5086 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-92-3 封装。2N5086 TRA PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-92-3 封装。2N5086 TRA TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-92-3 封装。2N5086 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、集电极－发射极饱和电压 300 mV。2N5086 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、集电极－发射极饱和电压 300 mV。2N5087 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。2N5087 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。2N5087 APP PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-92-3 封装。2N5087 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-92 封装。2N5088 APP TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 35 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V，采用 TO-92-3 封装。2N5087 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-92-3 封装。2N5087 TRA PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-92-3 封装。2N5087 TRA TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。2N5087 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。