MCH3007-TL-H
ON Semiconductor · 封装：MCPH-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 2 V，采用 MCPH-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录FMMT551TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.35 V，采用 SOT-23-3 封装。SBC847BPDW1T3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V, - 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 SOT-363-6 封装。BC56-10PA,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 DFN-2020-3 封装。MCH6545-TL-E
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V, 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 60 mV, 50 mV，采用 SOT-363-6 封装。SBC856BDW1T3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 65 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 200 mA，采用 SOT-363-6 封装。SMMBT5551LT3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。SBC846BPDW1T2G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 300 mV, 250 mV，采用 SOT-363-6 封装。2SD1757KT146Q
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6.5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SC-59-3 封装。DMMT2907A-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-26-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 1 A，采用 SOT-26-6 封装。NSVBC847BLT3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。2SC3837KT146P
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SC-59-3 封装。BCX6925TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SOT-89-3 封装。BUJ100,412
WeEn Semiconductors · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、集电极－发射极饱和电压 0.24 V，采用 TO-92-3 封装。NSVBC847BDW1T2G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-363-6 封装。SBC847BDW1T3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-363-6 封装。2SA2202-TD-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.12 V。KSA928AYTA
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 2 V，采用 TO-92-3 封装。NST45010MW6T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SC-88-6 封装。DNLS160-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。