JANSR2N2218AL
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录JANSF2N2369AU
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSF2N2906AUBC/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V。JANSF2N2907A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSH2N2222A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSP2N2222AL
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSP2N3501UB
Microchip / Microsemi · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SMD-4 封装。JANSR2N2218
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSR2N2218A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSR2N3635
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANTXV2N5666U3
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSR2N3635L
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。JANSR2N3637L
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSR2N3700UB/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V，采用 LCC-3 封装。JANSR2N3810U/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 LCC-6 封装。JANTXV2N5152U3
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANTXV2N5153U3
Microchip / Microsemi · 封装：U-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 U-3 封装。JANTXV2N5153U3/TR
Microchip / Microsemi · 封装：SMD-0.5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SMD-0.5-3 封装。JANTXV2N5339U3
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANTXV2N5793
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。